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2020年西北工业大学集成电路设计考研大纲复试
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2020年西北工业大学考研大纲复试

题号: 974

《集成电路设计》

考试大纲

一、 考试内容

1.MOS器件物理基础,包括MOSI/V特性,二级效应。

2.单级放大器,包括共源级,源跟随器,共栅极,共源共栅极。

3.差动放大器,包括基本差动对的工作原理,差动电压增益,共模电压增益。

4.电流镜,包括基本电流镜,共源共栅电流镜,有源电流镜。

5.运算放大器,包括一级运放,两级运放。

6.静态CMOS反相器基本原理,静态特性,动态特性。

7.CMOS组合逻辑门设计,包括静态CMOS组合逻辑,动态CMOS组合逻辑。

8.时序逻辑电路设计,包括静态锁存器和寄存器,动态锁存器和寄存器。

二、 参考书目

[1] 模拟CMOS集成电路设计,毕查德˙拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社,2003

[2] 数字集成电路——电路、系统与设计(第二版),Jan M. Rabaey等著,周润德等译,电子工业出版社,2005

 

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